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Intro ......

 

측정한다. VR(V) 0. 나머지 VR 값들에 대해서도 단계 b를 반복하여라.6 0. VD를 측정하고 그 값을 표에 기입하라.202 0. 다음 회로를 결선하고 저항 R값을 측정하여 기록하라.02 3.99KΩ b.다이오드 검사 다이오드 검사 단자 그림과 같이 다이오드 양쪽에 멀티미터를 연결하여 전위를 측정한다.hwp [공학] 전자회로 설계 및 실험 - 다이오드 특성.575 0. 전원 E를 0으로 놓고 다음 회로를 결선하라. 3. VR(E가 아님)이 0.1V가 되도록 전원 전압 E를 증가시켜라.101 0.8 0.543 . , 역방향 바이어스 상태에서 매우 높은 저항값을 나타낸다.909 VR(V) 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 VD(V) 0. 검사 Si 순방향 1.595 0.04 5.505 0.2 0. 역방향 연결시는 개방회로를 나타내는 OL 응답이 나타난다. 저항값을 측정하고 기록하라.3 0.hwp 문서 (Down). e. 전압 VR을 측정하라.hwp [공학] 전자회로 설계 및 실험 - 다이오드 특성. 각 곡선의 아래 부분을 확장하여 (ID 〓 0mA,04 ID〓 VR/Rmeas (mA) 1.583 0. 대응식에 해당하는 전류 ID값을 계산하라. ......

 

 

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공학 자료실 전자회로 설계 및 실험 - 다이오드 특성 레포트

 

[공학] 전자회로 설계 및 실험 - 다이오드 특성.hwp 문서 (Down).zip

 

전자회로 설계 및 실험 - 다이오드 특성

 

실험 목적 : 실리콘과 게르마늄 다이오드의 특성곡선을 계산하고, 비교하고, 측정한다.

 

실제 실험은 si 다이오드만 이용하여 측정하였다.

 

실험 순서

 

1.다이오드 검사

 

다이오드 검사 단자

 

 

그림과 같이 다이오드 양쪽에 멀티미터를 연결하여 전위를 측정한다.

다이오드가 정상이라면 순방향 연결시 약간의 전압강하가 일어난다.

역방향 연결시는 개방회로를 나타내는 OL 응답이 나타난다.

 

1) Si 다이오드와 Ge 다이오드에 대해서 검사를 수행하라.

검사

Si

순방향

1.1 V

역방향

OL

2) 결과로 보아 두 다이오드는 양호한 상태인가

 

저항단자

 

VOM 이나 DMM의 적절한 스케일을 사용하여 Si와 Ge 다이오드의 순방향, 역방향 바이어스 역영의 저항값을 결정하고, 그 결과를 기입하라.

 

검사

Si

순방향

 

역방향

 

양호한 다이오드는 순방향 바이어스 상태에서 낮은 저항값을 나타내고, 역방향 바이어스 상태에서 매우 높은 저항값을 나타낸다.

 

2) 결과로 보아 두 다이오드는 양호한 상태인가

 

2.순방향 바이어스의 다이오드 특성곡선

 

a. 전원 E를 0으로 놓고 다음 회로를 결선하라. 저항값을 측정하고 기록하라.

Rmeas 〓 0.99KΩ

 

b. VR(E가 아님)이 0.1V가 되도록 전원 전압 E를 증가시켜라. VD를 측정하고 그 값을 표에 기입하라. 대응식에 해당하는 전류 ID값을 계산하라.

 

VR(V)

0.1

0.2

0.3

0.4

0.5

0.6

0.7

0.8

0.9

VD(V)

0.499

0.525

0.543

0.556

0.567

0.575

0.583

0.589

0.595

ID〓 VR/Rmeas (mA)

0.101

0.202

0.303

0.404

0.505

0.606

0.707

0.808

0.909

VR(V)

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

VD(V)

0.595

0.60

0.651

0.664

0.674

0.682

0.689

0.695

0.700

0.704

ID〓 VR/Rmeas (mA)

1.01

2.02

3.03

4.04

5.05

6.06

7.07

8.08

9.09

10.10

 

c. 나머지 VR 값들에 대해서도 단계 b를 반복하여라.

 

e. 표를 이용하여 다름 그래프에 Si와 Ge다이오드에 대한 ID 대 VD 특성곡선을 그려라. 각 곡선의 아래 부분을 확장하여

(ID 〓 0mA, VD 〓 0V)에서 만나도록 곡선을 완성하여라.

 

3.역방향 바이어스

 

a. 다음 회로를 결선하고 저항 R값을 측정하여 기록하라.

 

 

 

 

Rmeas 〓 0.991MΩ

b. 전압 VR을 측정하라. IS 〓 VR/(Rmeas|…(생략)

 

[공학] 전자회로 설계 및 실험 - 다이오드 특성.hwp [공학] 전자회로 설계 및 실험 - 다이오드 특성.hwp [공학] 전자회로 설계 및 실험 - 다이오드 특성.hwp [공학] 전자회로 설계 및 실험 - 다이오드 특성.hwp [공학] 전자회로 설계 및 실험 - 다이오드 특성.hwp

 

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wp [공학] 전자회로 설계 및 실험 - 다이오드 특성. Rmeas 〓 0.06 7. IS 〓 VR/(Rmeas|…(생략) [공학] 전자회로 설계 및 실험 - 다이오드 특성. 공학 자료실 전자회로 설계 및 실험 - 다이오드 특성 레포트 SJ .808 0.hwp [공학] 전자회로 설계 및 실험 - 다이오드 특성.4 0. 다음 회로를 결선하고 저항 R값을 측정하여 기록하라.09 10. 다음 회로를 결선하고 저항 R값을 측정하여 기록하라.hwp [공학] 전자회로 설계 및 실험 - 다이오드 특성.525 0.. 공학 자료실 전자회로 설계 및 실험 - 다이오드 특성 레포트 SJ .499 0.664 0. 공학 자료실 전자회로 설계 및 실험 - 다이오드 특성 레포트 SJ .101 0.6 0. 2) 결과로 보아 두 다이오드는 양호한 상태인가 2.04 5.606 0. VR(E가 아님)이 0.303 0.hwp. 각 곡선의 아래 부분을 확장하여 (ID 〓 0mA, VD 〓 0V)에서 만나도록 곡선을 완성하여라.hwp [공학] 전자회로 설계 및 실험 - 다이오드 특성. 대응식에 해당하는 전류 ID값을 계산하라.. VR(V) 0.99KΩ b. 공학 자료실 전자회로 설계 및 실험 - 다이오드 특성 레포트 SJ .525 0.01 2.2 0.순방향 바이어스의 다이오드 특성곡선 a.202 0.704 ID〓 VR/Rmeas (mA) 1.575 0.hwp.1 V 역방향 OL 2) 결과로 보아 두 다이오드는 양호한 상태인가 저항단자 VOM 이나 DMM의 적절한 스케일을 사용하여 Si와 Ge 다이오드의 순방향, 역방향 바이어스 역영의 저항값을 결정하고, 그 결과를 기입하라. 다이오드가 정상이라면 순방향 연결시 약간의 전압강하가 일어난다. 다이오드가 정상이라면 순방향 연결시 약간의 전압강하가 일어난다.1V가 되도록 전원 전압 E를 증가시켜라.651 0.583 0.역방향 바이어스 a. 실험 순서 1.순방향 바이어스의 다이오드 특성곡선 a.991MΩ b. 저항값을 측정하고 기록하라.991MΩ b.5 0.06 7.567 0.704 ID〓 VR/Rmeas (mA) 1.2 0. 공학 자료실 전자회로 설계 및 실험 - 다이오드 특성 레포트 SJ . 실제 실험은 si 다이오드만 이용하여 측정하였다. 공학 자료실 전자회로 설계 및 실험 - 다이오드 특성 레포트 SJ .595 0. 검사 Si 순방향 1. 3.101 0.674 0. VD를 측정하고 그 값을 표에 기입하라.6 0.589 0.695 0.689 0.05저항값을 측정하고 기록하라.404 0.595 0.60 0.공학 자료실 전자회로 설계 및 실험 - 다이오드 특성 레포트 [공학] 전자회로 설계 및 실험 - 다이오드 특성. 검사 Si 순방향 1.682 0.674 0.583 0. 나머지 VR 값들에 대해서도 단계 b를 반복하여라.707 0.zip 전자회로 설계 및 실험 - 다이오드 특성 실험 목적 : 실리콘과 게르마늄 다이오드의 특성곡선을 계산하고, 비교하고, 측정한다. 3.575 0.8 0. 대응식에 해당하는 전류 ID값을 계산하라.202 0.4 0.1 0.303 0. 각 곡선의 아래 부분을 확장하여 (ID 〓 0mA, VD 〓 0V)에서 만나도록 곡선을 완성하여라.909 VR(V) 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 VD(V) 0. Rmeas 〓 0. 1) Si 다이오드와 Ge 다이오드에 대해서 검사를 수행하라.505 0. VD를 측정하고 그 값을 표에 기입하라.hwp [공학] 전자회로 설계 및 실험 - 다이오드 특성.hwp [공학] 전자회로 설계 및 실험 - 다이오드 특성.99KΩ b. IS 〓 VR/(Rmeas|…(생략) [공학] 전자회로 설계 및 실험 - 다이오드 특성.556 0. VR(E가 아님)이 0. Rmeas 〓 0.700 0.8 0. Rmeas 〓 0.hwp 문서 (Down).07 8. VR(V) 0.04 5.589 0.595 ID〓 VR/Rmeas (mA) 0.664 0.다이오드 검사 다이오드 검사 단자 그림과 같이 다이오드 양쪽에 멀티미터를 연결하여 전위를 측정한다. 공학 자료실 전자회로 설계 및 실험 - 다이오드 특성 레포트 SJ .700 0.543 0. 2) 결과로 보아 두 다이오드는 양호한 상태인가 2. 실험 순서 1. 나머지 VR 값들에 대해서도 단계 b를 반복하여라.567 0. 공학 자료실 전자회로 설계 및 실험 - 다이오드 특성 레포트 SJ . 전압 VR을 측정하라.3 0.543 0.05.404 0. 역방향 연결시는 개방회로를 나타내는 OL 응답이 나타난다. 검사 Si 순방향 역방향 양호한 다이오드는 순방향 바이어스 상태에서 낮은 저항값을 나타내고, 역방향 바이어스 상태에서 매우 높은 저항값을 나타낸다. 1) Si 다이오드와 Ge 다이오드에 대해서 검사를 수행하라.60 0. e..공학 자료실 전자회로 설계 및 실험 - 다이오드 특성 레포트 SJ . 공학 자료실 전자회로 설계 및 실험 - 다이오드 특성 레포트 SJ .09 10.909 VR(V) 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 VD(V) 0. 전원 E를 0으로 놓고 다음 회로를 결선하라.5 0.505 0.03 4.hwp [공학] 전자회로 설계 및 실험 - 다이오드 특성.7 0.651 0. 표를 이용하여 다름 그래프에 Si와 Ge다이오드에 대한 ID 대 VD 특성곡선을 그려라.10 c.595 ID〓 VR/Rmeas (mA) 0. 실제 실험은 si 다이오드만 이용하여 측정하였다.hwp [공학] 전자회로 설계 및 실험 - 다이오드 특성. 전원 E를 0으로 놓고 다음 회로를 결선하라.02 3. 표를 이용하여 다름 그래프에 Si와 Ge다이오드에 대한 ID 대 VD 특성곡선을 그려라.682 0.1 V 역방향 OL 2) 결과로 보아 두 다이오드는 양호한 상태인가 저항단자 VOM 이나 DMM의 적절한 스케일을 사용하여 Si와 Ge 다이오드의 순방향, 역방향 바이어스 역영의 저항값을 결정하고, 그 결과를 기입하라.03 4.9 VD(V) 0.zip 전자회로 설계 및 실험 - 다이오드 특성 실험 목적 : 실리콘과 게르마늄 다이오드의 특성곡선을 계산하고, 비교하고, 측정한다.07 8.08 9. 검사 Si 순방향 역방향 양호한 다이오드는 순방향 바이어스 상태에서 낮은 저항값을 나타내고, 역방향 바이어스 상태에서 매우 높은 저항값을 나타낸다. e.3 0.695 0.1 0.9 VD(V) 0.hwp 문서 (Down).다이오드 검사 다이오드 검사 단자 그림과 같이 다이오드 양쪽에 멀티미터를 연결하여 전위를 측정한다. 공학 자료실 전자회로 설계 및 실험 - 다이오드 특성 레포트 SJ . 공학 자료실 전자회로 설계 및 실험 - 다이오드 특성 레포트 SJ .606 0.707 0.556 0.08 9.689 0. 전압 VR을 측정하라.808 0.역방향 바이어스 a.499 0. 역방향 연결시는 개방회로를 나타내는 OL 응답이 나타난다.7 0.1V가 되도록 전원 전압 E를 증가시켜라.02 3.공학 자료실 전자회로 설계 및 실험 - 다이오드 특성 레포트 [공학] 전자회로 설계 및 실험 - 다이오드 특성.10 c.01 .