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다중기억 자기저항 메모리 등에 대해서 조사하였습니다..hwp 문서 (다운받기).전자-MRAM에 대하여 레포트 전자-MRAM에 대하여. [전자]MRAM에대하여 자기저항이란? 거대자기저항 다층박막 GMR 재료 미세입상 합금박막 및 불연속다층박막 GMR 재료 Magnetoresistive Random Access Memory (MRAM) 스핀밸브 자기저항 메모리 ( Spin Valve Magnetoresistive RAM ) 유사 스핀밸브 자기저항 메모리( Pseudo Spin Valve Magnetoresistive RAM ) 다중기억 자기저항 메모리 MRAM의 개발 미세입상 합금박막 및 불연속다층박막 GMR 재료 미세입상 합금박막 상호고용이 되지 않는 계에서 석출된 nm크기의 단자구 자성입자의 자기모멘트가 무방향 배열된 초상자성(superparamagnet) 특성을 가진다 반강자성결합을 하는 자성/비자성 다층박막에서와 같이 주로 자성체 입자 계면에서 스핀 의존산란 효과에 기인하는 것으로 받아들여지고 있다 거대자기저항 현상을 나타내는 합금들은 Cu-Co ......

 

 

Index & Contents

전자-MRAM에 대하여 레포트

 

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전자-MRAM에 대하여

 

자기저항의 개념과 거대자기저항, 다중기억 자기저항 메모리 등에 대해서 조사하였습니다. [전자]MRAM에대하여

 

 

자기저항이란?

거대자기저항

다층박막 GMR 재료

미세입상 합금박막 및 불연속다층박막 GMR 재료

Magnetoresistive Random Access Memory (MRAM)

스핀밸브 자기저항 메모리 ( Spin Valve Magnetoresistive RAM )

유사 스핀밸브 자기저항 메모리( Pseudo Spin Valve Magnetoresistive RAM )

다중기억 자기저항 메모리

MRAM의 개발

 

미세입상 합금박막 및 불연속다층박막 GMR 재료

 

미세입상 합금박막

상호고용이 되지 않는 계에서 석출된 nm크기의 단자구 자성입자의 자기모멘트가 무방향 배열된 초상자성(superparamagnet) 특성을 가진다 반강자성결합을 하는 자성/비자성 다층박막에서와 같이 주로 자성체 입자 계면에서 스핀 의존산란 효과에 기인하는 것으로 받아들여지고 있다

거대자기저항 현상을 나타내는 합금들은 Cu-Co, Ag-Co(Fe), Ag-Fe 및 Ag-FeNi 등이 연구되고 있다.

상온에서 Cu-Co계에서는 최적 열처리시 약 12%, Ag-Co계에서는 증착된 상태에서 23%의 최대 GMR 비가 보고된 바 있다

Ag-Co계가 Cu-Co보다 유리한 점은 증착된 상태의 같은 조성에서 비저항이 1/5정도로 낮고 열처리하지 않고 증착된 상태에서 더 큰 GMR비를 얻을 수 있고 열처리를 하더라도 Cu-Co계 보다 낮은 온도에서 최적 조건을 얻을 수 있다

미세입상 합금박막은 박막 제조 공정이 다층박막보다 용이하다는 이점이 있으나 본질적으로 포화자계가 크다. 즉 미세입상 합금박막의 자화과정은 비자성도체에 분산론 수 nm의 단자 구 자성입자들의 열적 교란을 극복하고 자기모멘트가 회전되어야 하므로 포화자기장이 클 수밖에 없다.

비자성 도체기지에 분산된 자성입자들의 크기, 분포 및 형상을 단순히 열처리를 통하여 엄 격하게 ·제어하기란 거의 불가능하다.

형상이방성을 최소화하기 위해서는 형상비가 1에 가까운 완벽한 구형의 자성입자를 만들거나 또는 반대로 형상비가 매우 큰 disk형태로 만들어 박막면에 평행하게 배열하면 면 방향으로의 형상이방성을 최소화 할 수 있다.

 

 

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