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재 DRDRAM의 클럭은 세가지 제품으로 구분되어 나오고 있는데 PC-800, 각 콤포넌트가 클럭당 출력할수 있는 데이터는 16bit 이다. RambusDRAM 4. .) 보다 자세한 클럭제네레이터로부터 발생되는 클럭은 400MHz, 356MHz, 700MHz, 이러한 구조 때문에 소켓중 하나가 비게 되면 작동을 하지 못하게 되어있다. (컴포넌트의 개수가 제한수를 넘지 않는다면 이런 방식은 필요없다.(ECC용 DRDRAM의 경우 18bit를 클럭당 출력할수 있. , 300MHz이다. 하나의 채널당 콤포넌트의 개수는 32개로 제한되며, PC-600이라고 불리우는 이제품들은 마치 클럭이 800MHz, 이러한 이유로 16개의 컴포넌트가 탑재된 모듈 세 개를 꽂지 못하므로 마지막 소켓은 콤포넌트가 없는 빈 모듈인 C-RIMM(Continuity RIMM)을 꽂게 된다..) 즉, 동작속도를 빠르게 함으로써 고 대역폭을 이룰수 있게 된 것이다.Rambus Memory 다운 Rambus Memory.zip Rambus Memory Rambus Memory에 대한 글입니다. 이러한 DRDRAM의  ......

 

 

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Rambus Memory

 

Rambus Memory에 대한 글입니다. RambusDRAM

 

4. 동작과 특징

 

DRDRAM은 보통 4 ~ 16개의 개별 DRDRAM 콤포넌트가 클럭마다 제 각각 한번씩 작동하는 직렬식 구성을 보이며, 각 콤포넌트가 클럭당 출력할수 있는 데이터는 16bit 이다.(ECC용 DRDRAM의 경우 18bit를 클럭당 출력할수 있다.) 즉, 일반적으로 8개의 콤포넌트를 가진 SDRAM이 각 8bit씩 병렬로 한꺼번에 같이 동작함으로써 64bit라는 대역폭을 이룬다면 DRDRAM의 경우는 각 클럭당 하나의 콤포넌트밖에 동작을 하지 않는 대신, 동작속도를 빠르게 함으로써 고 대역폭을 이룰수 있게 된 것이다. 이러한 DRDRAM의 구조는 각 모듈당 하나의 콤포넌트가 탑재되어 있더라도 완벽히 해당 대역폭을 충족시키면서 작동할수 있게 된다.

184핀이라는 핀수를 가진 RIMM모듈은 치열식 구조의 소켓에 꽂히게 되며, 이러한 구조 때문에 소켓중 하나가 비게 되면 작동을 하지 못하게 되어있다. 하나의 채널당 콤포넌트의 개수는 32개로 제한되며, 이러한 이유로 16개의 컴포넌트가 탑재된 모듈 세 개를 꽂지 못하므로 마지막 소켓은 콤포넌트가 없는 빈 모듈인 C-RIMM(Continuity RIMM)을 꽂게 된다. (컴포넌트의 개수가 제한수를 넘지 않는다면 이런 방식은 필요없다.)

 

현재 DRDRAM의 클럭은 세가지 제품으로 구분되어 나오고 있는데 PC-800, PC-700, PC-600이라고 불리우는 이제품들은 마치 클럭이 800MHz, 700MHz, 600MHz처럼 보이지만 사실 이들은 2배로 펌핑된 수치이고(즉, DDR-SDRAM처럼 데이터 전송시에 두가지 에지(Rising-Edge, Falling-Edge)를 다 사용하는 방식으로 클럭당 전송효율을 두배로 높인 기술이다.) 보다 자세한 클럭제네레이터로부터 발생되는 클럭은 400MHz, 356MHz, 300MHz이다.

 

 

 

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